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課程內容
光電半導體技術
Compound Semiconductor Technology
林浩雄   108下

課程概述
本課程介紹以gaas及inp為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。 一、 光電半導體材料的種類及基本特性 二、 塊材成長技術 三、 真空技術 四、 磊晶技術:分子束磊晶法 五、 磊晶技術:有機金屬化學沈積法 六、磊晶技術:液相磊晶法

課程目標
瞭解並熟悉三五族化合物半導體的基本晶格結構、能帶性質、光學特性、電學特性、磊晶、製程與量測技術

課程要求
無預修課程

指定閱讀

參考書目
教科書: 上課講義 參考書目: t. swaminathan, and a. t. macrander, materials aspects of gaas and inp based structures, prentice hall, 1991. a. katz, indium phosphide and related materials: processing, technology, and devices, artech house, 1992. r. e. willams, gaas processing technique, 2nd ed., artech house, 1990.

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