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研究計畫
研究領域及重點
研究計畫
研究實驗室
教師研究成果
裝飾圖片 研究計畫
排序：
計畫名稱 主持教授 預算 執行時間
高效能有機發光照明技術：關鍵材料,元件與技術研究(1/3)
NSC 94-2218-E-002 -069		 邱奕鵬 7121000 2005-11-01 - 2006-10-01
以硬體實現時域有限差分的光電元件模擬
NSC 95-2221-E-002 -285		 邱奕鵬 787000 2006-08-01 - 2007-07-01
光通訊應用之前瞻性光電元件(一)
95R0062-07		 邱奕鵬 8000000 2006-08-01 - 2007-07-01
太陽能及海水淡化發展之研究
 邱奕鵬 150000 2006-08-01 - 2008-07-01
光學網路基礎研究－子計畫二:高速光學交換器系統
95-2221-E-007-046-MY3		 邱奕鵬 3169000 2006-08-01 - 2009-07-01
光學網路基礎研究－子計畫一:全光網路中光子晶體光
95-2221-E-009-056-MY3		 邱奕鵬 2536000 2006-10-01 - 2009-07-01
高效能有機發光照明技術：關鍵材料,元件與技術研究(2/3)
95-2218-E-002-069-		 邱奕鵬 7121000 2006-11-01 - 2007-10-01
光通訊應用之前瞻性光電元件(二)
96R0062-07		 邱奕鵬 8000000 2007-08-01 - 2008-07-01
顯示器及發光元件的發光萃取效率之提昇研究
NSC 96-2221-E-002 -172		 邱奕鵬 978000 2007-08-01 - 2008-07-01
高效能有機發光照明技術：關鍵材料,元件與技術研究(3/3)
NSC 96-2218-E-002 -069		 邱奕鵬 7124000 2007-11-01 - 2008-10-01
微結構太陽能電池元件的模擬分析之發展與應用
NSC 98-2221-E-002 -170 -MY3　		 邱奕鵬 2242000 2009-08-01 - 2012-07-01
以液相氧化技術成長高介電常數聞聞極介電層之製程與電特性研究
 胡振國 800000 2004-01-01 - 2004-12-31
矽金氧半超薄閘極絕緣層製程研發及新型元件應用(1/3)
NSC 93-2215-E-002-016		 胡振國 1473800 2004-08-01 - 2005-07-31
快速熱製程氧化層之均勻度與應力效應研究(3/3)
NSC 93-2215-E-002-001		 胡振國 1309000 2004-08-01 - 2005-07-31
先進CMOS元件及製程研究 - 子計畫一 :適用於低溫基板製程之高品質絕緣膜形成技術(1/3)
NSC 94-2215-E-002-044		 胡振國 1377000 2005-08-01 - 2006-07-31
先進CMOS元件及製程研究 -總計畫(1/3)
NSC 94-2215-E-002-047		 胡振國 2485000 2005-08-01 - 2006-07-31
矽金氧半超薄閘極絕緣層製程研發及新型元件應用(2/3)
NSC 94-2215-E-002-004		 胡振國 1659000 2005-08-01 - 2006-07-31
微電子工程學門研究發展及推動規劃(1/3)
NSC 94-2217-E-002-016		 胡振國 929000 2005-12-01 - 2006-11-30
矽金氧半超薄閘極絕緣層製程研發及新型元件應用(3/3)
NSC 95-2221-E-002-375		 胡振國 1706000 2006-08-01 - 2007-07-31
先進CMOS元件及製程研究 -總計畫(2/3)
NSC 95-2221-E-002-367		 胡振國 2307000 2006-08-01 - 2007-07-31
先進CMOS元件及製程研究 - 子計畫一 :適用於低溫基板製程之高品質絕緣膜形成技術(2/3)
NSC 95-2221-E-002-358		 胡振國 1587000 2006-08-01 - 2007-07-31
微電子工程學門研究發展及推動規劃(2/3)
NSC 95-2217-E-002-002		 胡振國 1017000 2006-12-01 - 2007-11-30
先進CMOS元件及製程研究 -總計畫 (3(/3)
NSC 96-2221-E-002-286		 胡振國 1797000 2007-08-01 - 2008-07-31
先進CMOS元件及製程研究 - 子計畫一 :適用於低溫基板製程之高品質絕緣膜形成技術(3/3)
NSC 96-2221-E-002-244		 胡振國 1587000 2007-08-01 - 2008-07-31
超薄絕緣層新穎製程開發及其在矽金氧半元件之應用(1/3)
NSC 96-2628-E-002-246-MY3		 胡振國 1285000 2007-08-01 - 2010-07-31
微電子工程學門研究發展及推動規劃(3/3)
NSC 96-2217-E-002-002		 胡振國 1147000 2007-12-01 - 2008-12-31
超薄絕緣層新穎製程開發及其在矽金氧半元件之應用(2/3)
NSC96-2628-E-002-246-MY3		 胡振國 1777000 2008-08-01 - 2010-07-31
後矽電子之增強技術 - 總計畫(1/3)
NSC97-2221-E-002-233-MY3		 胡振國 1887000 2008-08-01 - 2011-07-31
後矽電子之增強技術 - 子計畫一 : 碳化矽上新穎絕緣層技術 (1/3)
NSC97-2221-E-002-231-MY3		 胡振國 1920000 2008-08-01 - 2011-07-31
超薄絕緣層新穎製程開發及其在矽金氧半元件之應用(3/3)
NSC96-2628-E-002-246-MY3		 胡振國 1777000 2009-08-01 - 2010-07-31
後矽電子之增強技術 - 總計畫(2/3)
NSC97-2221-E-002-233-MY3		 胡振國 2150000 2009-08-01 - 2011-07-31
後矽電子之增強技術 - 子計畫一 : 碳化矽上新穎絕緣層技術 (2/3)
NSC97-2221-E-002-231-MY3		 胡振國 1692000 2009-08-01 - 2011-07-31
後矽電子之增強技術 - 子計畫一 : 碳化矽上新穎絕緣層技術 (3/3)
NSC97-2221-E-002-231-MY3		 胡振國 1812000 2010-08-01 - 2011-07-31
後矽電子之增強技術-總計畫(3/3)
NSC97-2221-E-002-233-MY3		 胡振國 2064000 2010-08-01 - 2011-07-31
高品質超薄閘極氧化層製程技術及元件應用(1/3)
NSC99-2221-E-002-197-MY3		 胡振國 1269000 2010-08-01 - 2013-07-31
高品質超薄閘極氧化層製程技術及元件應用(2/3)
NSC99-2221-E-002-197-MY3		 胡振國 1975000 2011-08-01 - 2013-07-31
先進CMOS元件之增強技術-總計畫 (1/3)
NSC100-2221-E-002-057-MY3		 胡振國 1464000 2011-08-01 - 2014-07-31
先進CMOS元件之增強技術-子計畫一:於不平坦矽基生長超薄閘極絕緣層之金氧半結構電特性研究(1/3)
NSC100-2221-E-002-055-MY3		 胡振國 1101000 2011-08-01 - 2014-07-31
高品質超薄閘極氧化層製程技術及元件應用(3/3)
NSC99-2221-E-002-197-MY3		 胡振國 1975000 2012-08-01 - 2013-07-31
先進CMOS元件之增強技術-總計畫 (2/3)
NSC100-2221-E-002-057-MY3		 胡振國 1878000 2012-08-01 - 2014-07-31
先進CMOS元件之增強技術-子計畫一:於不平坦矽基生長超薄閘極絕緣層之金氧半結構電特性研究(2/3)
NSC100-2221-E-002-055-MY3		 胡振國 1159000 2012-08-01 - 2014-07-31
先進CMOS元件之增強技術-總計畫 (3/3)
NSC100-2221-E-002-057-MY3		 胡振國 1693000 2013-08-01 - 2014-07-31
先進CMOS元件之增強技術-子計畫一:於不平坦矽基生長超薄閘極絕緣層之金氧半結構電特性研究(3/3)
NSC100-2221-E-002-055-MY3		 胡振國 1336000 2013-08-01 - 2014-07-31
超薄閘極氧化層不均勻特性分析及元件應用(1/3)
NSC102-2221-E-002-183-MY3		 胡振國 1407000 2013-08-01 - 2016-07-31
超薄閘極氧化層不均勻特性分析及元件應用(2/3)
NSC 102-2221-E-002-183-MY3		 胡振國 1527000 2014-08-01 - 2016-07-31
節能電晶體與記憶體技術-總計畫暨子計畫一: 節能型金氧半結構揮發性記憶體(1/3)
MOST 103-2221-E-002-252-MY3		 胡振國 2513000 2014-08-01 - 2017-07-31
超薄閘極氧化層不均勻特性分析及元件應用(3/3)
NSC 102-2221-E-002-183-MY3		 胡振國 1527000 2015-08-01 - 2016-07-31
節能電晶體與記憶體技術-總計畫暨子計畫一: 節能型金氧半結構揮發性記憶體(2/3)
MOST 103-2221-E-002-252-MY3		 胡振國 2576000 2015-08-01 - 2017-07-31
節能電晶體與記憶體技術-總計畫暨子計畫一: 節能型金氧半結構揮發性記憶體(3/3)
MOST 103-2221-E-002-252-MY3		 胡振國 2573000 2016-08-01 - 2017-07-31
閘極穿隧引起金氧半結構之深空乏特性及元件耦合應用(1/3)
MOST 105-2221-E-002-180-MY3		 胡振國 1422000 2016-08-01 - 2019-07-31
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